如何處理接近傳感器噪聲問題

　　接近傳感器性能是否*的關(guān)鍵因素，由于傳感器輸出端都是很微小的信號(hào)，如果因?yàn)樵肼晫?dǎo)致有用的信號(hào)被淹沒，那就得不償失了，所以加強(qiáng)傳感器電路的抗干擾設(shè)計(jì)尤為重要。在這之前，我們必須了解傳感器電路噪聲的來源，以便找出更好的方法來降低噪聲?？偟膩碚f，傳感器電路噪聲主要有一下七種：

　　接近傳感器主要是由于內(nèi)部的導(dǎo)電微粒不連續(xù)造成的。特別是碳膜電阻，其碳質(zhì)材料內(nèi)部存在許多微小顆粒，顆粒之間是不連續(xù)的，在電流流過時(shí)，會(huì)使電阻的導(dǎo)電率發(fā)生變化引起電流的變化，產(chǎn)生類似接觸不良的閃爆電弧。另外，晶體管也可能產(chǎn)生相似的爆裂噪聲和閃爍噪聲，其產(chǎn)生機(jī)理與電阻中微粒的不連續(xù)性相近，也與晶體管的摻雜程度有關(guān)。

　　接近傳感器由于半導(dǎo)體PN結(jié)兩端勢(shì)壘區(qū)電壓的變化引起累積在此區(qū)域的電荷數(shù)量改變，從而顯現(xiàn)出電容效應(yīng)。當(dāng)外加正向電壓升高時(shí)，N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴向耗盡區(qū)運(yùn)動(dòng)，相當(dāng)于對(duì)電容充電。當(dāng)正向電壓減小時(shí)，它又使電子和空穴遠(yuǎn)離耗盡區(qū)，相當(dāng)于電容放電。當(dāng)外加反向電壓時(shí)，耗盡區(qū)的變化相反。當(dāng)電流流經(jīng)勢(shì)壘區(qū)時(shí)，這種變化會(huì)引起流過勢(shì)壘區(qū)的電流產(chǎn)生微小波動(dòng)，從而產(chǎn)生電流噪聲。其產(chǎn)生噪聲的大小與溫度、頻帶寬度△f成正比。

　　接近傳感器是由于導(dǎo)電體內(nèi)部電子的無規(guī)則運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的。溫度越高，電子運(yùn)動(dòng)就越激烈。導(dǎo)體內(nèi)部電子的無規(guī)則運(yùn)動(dòng)會(huì)在其內(nèi)部形成很多微小的電流波動(dòng)，因其是無序運(yùn)動(dòng)，故它的平均總電流為零，但當(dāng)它作為一個(gè)元件(或作為電路的一部分)被接入放大電路后，其內(nèi)部的電流就會(huì)被放大成為噪聲源，特別是對(duì)工作在高頻頻段內(nèi)的電路高頻熱噪聲影響尤甚。

　　通常在工頻內(nèi)，電路的熱噪聲與通頻帶成正比，通頻帶越寬，電路熱噪聲的影響就越大。以一個(gè)1kΩ的電阻為例，如果電路的通頻帶為1MHz，則呈現(xiàn)在電阻兩端的開路電壓噪聲有效值為4μV(設(shè)溫度為室溫T=290K)?？雌饋碓肼暤碾妱?dòng)勢(shì)并不大，但假設(shè)將其接入一個(gè)增益為106倍的放大電路時(shí)，其輸出噪聲可達(dá)4V，這時(shí)對(duì)電路的干擾就很大了。

　　電路板上的電磁元件的干擾

　　許多電路板上都有繼電器、線圈等電磁元件，在電流通過時(shí)其線圈的電感和外殼的分布電容向周圍輻射能量，其能量會(huì)對(duì)周圍的電路產(chǎn)生干擾。像繼電器等元件其反復(fù)工作，通斷電時(shí)會(huì)產(chǎn)生瞬間的反向高壓，形成瞬時(shí)浪涌電流，這種瞬間的高壓對(duì)電路將產(chǎn)生極大的沖擊，從而嚴(yán)重干擾電路的正常工作。

　　接近傳感器的噪聲主要有熱噪聲、散粒噪聲、閃爍噪聲。

　　熱噪聲是由于載流子不規(guī)則的熱運(yùn)動(dòng)通過BJT內(nèi)3個(gè)區(qū)的體電阻及相應(yīng)的引線電阻時(shí)而產(chǎn)生。

　　通常所說的BJT中的電流，只是一個(gè)平均值。實(shí)際上通過發(fā)射結(jié)注入到基區(qū)的載流子數(shù)目，在各個(gè)瞬時(shí)都不相同，因而發(fā)射極電流或集電極電流都有無規(guī)則的波動(dòng)，會(huì)產(chǎn)生散粒噪聲。

　　由于半導(dǎo)體材料及制造工藝水平使得晶體管表面清潔處理不好而引起的噪聲稱為閃爍噪聲。它與半導(dǎo)體表面少數(shù)載流子的復(fù)合有關(guān)，表現(xiàn)為發(fā)射極電流的起伏，其電流噪聲譜密度與頻率近似成反比，又稱1/f噪聲。它主要在低頻(kHz以下)范圍起主要作用。

　　電阻器的噪聲

　　電阻的干擾來自于電阻中的電感、電容效應(yīng)和電阻本身的熱噪聲。例如一個(gè)阻值為R的實(shí)芯電阻，可等效為電阻R、寄生電容C、寄生電感L的串并聯(lián)。一般來說，寄生電容為0.1～0.5pF，寄生電感為5～8nH。在頻率高于1MHz時(shí)，這些寄生電感電容就不可忽視了。

　　各類電阻都會(huì)產(chǎn)生熱噪聲，一個(gè)阻值為R的電阻(或BJT的體電阻、FET的溝道電阻)未接入電路時(shí)，在頻帶寬度B內(nèi)所產(chǎn)生的熱噪聲電壓為：

　　k為玻爾茲曼常數(shù)；T是絕對(duì)溫度(單位：K)。熱噪聲電壓本身是一個(gè)非周期變化的時(shí)間函數(shù)，因此，它的頻率范圍是很寬廣的。所以寬頻帶放大電路受噪聲的影響比窄頻帶大。

　　另外，電阻還會(huì)產(chǎn)生接觸噪聲，其接觸噪聲電壓為：

　　為流過電阻的電流均方值；f為中心頻率；k是與材料的幾何形狀有關(guān)的常數(shù)。由于Vc在低頻段起重要的作用，所以它是低頻傳感器電路的主要噪聲源。

　　接近傳感器的噪聲干擾一般有兩種：一種是輻射式，一種是傳導(dǎo)式。這些噪聲尖刺對(duì)于接在同一交流電網(wǎng)上的其他電子設(shè)備會(huì)產(chǎn)生較大影響。噪聲頻譜擴(kuò)展至100MHz以上。在實(shí)驗(yàn)室中，可以用高頻示波器(100MHz以上)觀察一般單片機(jī)系統(tǒng)板上某個(gè)集成電路電源與地引腳之間的波形，會(huì)看到噪聲尖刺峰-峰值可達(dá)數(shù)百毫伏甚至伏級(jí)。

　　抑制傳感器電路噪聲的措施

　　1.根據(jù)不同工作頻率合理選擇噪聲低的半導(dǎo)體元器件

　　在低頻段，晶體管由于存在勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容等問題，噪聲較大。而結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管因?yàn)槭嵌鄶?shù)載流子導(dǎo)電，不存在勢(shì)壘區(qū)的電流不均勻問題。而且柵極與導(dǎo)電溝間的反向電流很小，產(chǎn)生的散粒噪聲很小。故在中、低頻的前級(jí)電路中應(yīng)采用場(chǎng)效應(yīng)管，不但可以降低噪聲還可以有較高的輸入阻抗。另外如果需要更換晶體管等半導(dǎo)體元件，一定要經(jīng)過對(duì)比選擇，即使型號(hào)相同的半導(dǎo)體器件參數(shù)也是有差別的。同樣，電路中的碳膜電阻與金屬膜電阻的噪聲系數(shù)也是不一樣的，金屬膜電阻的噪聲比碳膜的要小，特別是在前級(jí)小信號(hào)輸入時(shí)，可以考慮用噪聲小的金屬膜電阻。

　　2.根據(jù)不同的工作頻段、參數(shù)選擇適當(dāng)?shù)姆糯箅娐?/p>

　　選擇適當(dāng)?shù)姆糯箅娐凡粌H對(duì)本級(jí)電路有直接影響，對(duì)整個(gè)電路的工作參數(shù)、工作狀態(tài)都會(huì)產(chǎn)生重要影響。如共射組態(tài)連接時(shí)，電路有較高的放大增益，同時(shí)它的噪聲對(duì)后級(jí)的影響較小。而共集組態(tài)時(shí)有較高的輸入阻抗同時(shí)也有較好的頻響。因此根據(jù)不同的電路對(duì)參數(shù)應(yīng)有不同要求，選擇好的電路，不僅可以簡(jiǎn)化線路結(jié)構(gòu)，同時(shí)也可以減少噪聲對(duì)整個(gè)電路的干擾。在電路性能參數(shù)允許的條件下，盡可能采用抗干擾能力較好的數(shù)字電路。